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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
中科院半导体照明研发... [5]
作者
伊晓燕 [1]
文献类型
专利 [10]
期刊论文 [4]
发表日期
2009 [5]
2008 [2]
2007 [2]
语种
中文 [10]
英语 [4]
出处
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作者升序
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
一种氮化物薄膜外延生长的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张 扬
;
张会肖
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
Adobe PDF(443Kb)
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浏览/下载:1523/265
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提交时间:2010/03/19
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
王军喜
;
张扬
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浏览/下载:1856/269
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提交时间:2009/06/11
一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高永海
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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浏览/下载:1736/272
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, LL (Sun, Lili)
;
Yan, FW (Yan, Fawang)
;
Zhang, HX (Zhang, Huixiao)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Wang, GH (Wang, Guohong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Qinghua E Rd A35, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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浏览/下载:1008/300
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, LL (Sun, Lili)
;
Yan, FW (Yan, Fawang)
;
Zhang, HX (Zhang, Huixiao)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Wang, GH (Wang, Guohong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
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浏览/下载:949/246
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提交时间:2010/03/08
用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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浏览/下载:1719/270
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提交时间:2009/06/11
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张扬
;
闫发旺
;
高海永
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
李晋闽
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浏览/下载:3069/218
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yan FW (Yan Fawang)
;
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Zhang HX (Zhang Huixiao)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Yan JC (Yan Jianchang)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li, Jinmin)
;
Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fwyan@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1374/493
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Yan FW (Yan Fawang)
;
Zhang HX (Zhang Huixiao)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Yan JC (Yan Jianchang)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31