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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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学位论文
作者:
赵英杰
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提交时间:2020/09/22
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期刊论文
作者:
Yuan-Fei Gao
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提交时间:2019/11/12
立方氮化硼薄膜的原位Si 掺杂研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
应杰
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提交时间:2010/06/07
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期刊论文
作者:
陈燕
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赵有文
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张英杰
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余鑫祥
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龙娟娟
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周宇璐
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张丽然
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提交时间:2011/08/16
一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
应杰
;
张兴旺
;
范亚明
Adobe PDF(471Kb)
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提交时间:2011/08/31