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纳米尺度相变存储器关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  周亚玲
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基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  付英春;  马刘红;  杨富华;  王晓峰;  周亚玲;  杨香;  王晓东
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基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  周亚玲;  付英春;  王晓峰;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：603/4  |  提交时间：2016/09/22