中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

  只显示已认领条目
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
低维Ⅲ族氮化物材料生长及团簇散射研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  刘长波
Adobe PDF(49307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1089/45  |  提交时间：2013/06/20
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1082/98  |  提交时间：2014/10/29
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1045/85  |  提交时间：2014/10/29
利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：924/33  |  提交时间：2014/10/28
制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1012/105  |  提交时间：2014/10/24