|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 透明导电氧化物CuMO2的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 方志杰
 Adobe PDF(1108Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1189/14 | 提交时间：2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱东海; 王占国; 梁基本; 徐波 ; 朱战萍; 张隽; 龚谦; 金才政; 丛立方; 胡雄伟; 韩勤; 方祖捷; 刘斌; 屠玉珍
Adobe PDF(155Kb) | 收藏 | 浏览/下载：993/288 | 提交时间：2010/11/23 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
Adobe PDF(431Kb) | 收藏 | 浏览/下载：887/0 | 提交时间：2016/09/28 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
Adobe PDF(420Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1053/3 | 提交时间：2016/09/28 |
| 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 王晓亮; 闫俊达; 李百泉; 王权; 肖红领; 冯春; 殷海波; 姜丽娟; 邱爱芹; 介芳
Adobe PDF(508Kb) | 收藏 | 浏览/下载：954/1 | 提交时间：2016/09/12 |
