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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Zeng, Jianping
;
Yan, Jianchang
;
Wang, Junxi
;
Cong, Peipei
;
Li, Jinmin
;
Sun, Shuaishuai
;
Tao, Ye
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提交时间:2013/05/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yan, Jianchang
;
Wang, Junxi
;
Cong, Peipei
;
Sun, Lili
;
Liu, Naixin
;
Liu, Zhe
;
Zhao, Chao
;
Li, Jinmin
;
Yan, J.(yanjc@semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, S.L.
;
Meng, K.K.
;
Chen, L.
;
Xu, P.F.
;
Meng, H.J.
;
Lu, J.
;
Zhao, J.H.
;
Zhao, J.H.(jhzhao@red.semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
Dependence of transport properties in tunnel junction on boron doping
会议论文
Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics VOL 7 NO 3-4, 7 (3-4): 1109-1111 2010, Utrecht, NETHERLANDS, AUG 23-28, 2009
作者:
Shi MJ
;
Zeng XB
;
Liu SY
;
Peng WB
;
Xiao HB
;
Liao XB
;
Wang ZG
;
Kong GL
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浏览/下载:1772/358
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提交时间:2011/07/14
Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Ji HM
;
Yang T
;
Cao YL
;
Ma WQ
;
Cao Q
;
Chen LH
;
Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1840/328
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提交时间:2010/03/09
Density-of-states
Si based quantum cascade structure: from energy band structures design to materials growth
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, JUN 09-14, 2008
作者:
Yu, JZ
;
Han, GQ
;
Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1889/311
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提交时间:2010/03/09
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Performance
Heterostructures
Optimization
Mobility
High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111)
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:
Wang, XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang, XL (Wang, Xiaoliang)
;
Wang, BZ (Wang, Baozhu)
;
Xiao, HL (Xiao, Hongling)
;
Liu, HX (Liu, Hongxin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Wang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Buffer Layer
Stress
Photodiodes
Reduction
Detectors
Sapphire
Epitaxy
Growth