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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [10]
中科院半导体材料科学... [1]
作者
魏学成 [1]
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2013 [1]
2006 [8]
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2002 [1]
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu Dong
;
Wu Jieting
;
Jiao Lei
;
Xu Hongxing
;
Zhang Peimei
;
Yu Renhong
;
Cheng Xiaonong
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提交时间:2013/09/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Yang ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1303/256
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou JM
;
Dong ZY
;
Wei XC
;
Duan ML
;
Li JM
;
Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1179/293
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu Z
;
Wang JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Guo LC
;
Liu HX
;
Li JP
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Wang, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jxwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zhou, JM
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Duan, ML
;
Li, JM
;
Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1969/561
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提交时间:2010/03/29
Zinc Oxide
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1492/359
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提交时间:2010/03/29
Mocvd
Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Liu, Z
;
Wang, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Guo, LC
;
Liu, HX
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jxwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Surface Morphology
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Yang, ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1405/300
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提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, GS
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17