| p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究 | |
| 杨军 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 2023-06-26 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学位名称 | 电子信息硕士 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31666 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨军. p-GaN增强型HEMT栅极新结构的研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2023. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| GK2023117-硕士-集成中心-杨军（137988KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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