Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 | |
| 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林 | |
| 2005-12-14 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2004-06-08 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN200410046387.0 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3139 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐晓华,倪海桥,牛智川,等. 高击穿电压的高电子迁移率晶体管[P]. 2005-12-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 200410046387.pdf（425KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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