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形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法 | |
方高瞻; 肖建伟; 马骁宇; 王晓薇; 冯小明; 刘斌; 刘媛媛 | |
2003-05-14 | |
公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
专利类型 | 发明 |
申请日期 | 2001-11-06 |
语种 | 中文 |
申请号 | CN01136893.4 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2973 |
专题 | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 方高瞻,肖建伟,马骁宇,等. 形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法[P]. 2003-05-14. |
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