| 硅基InGaAs/InP量子阱材料生长研究 | |
王梦琦
| |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 潘教青 |
| 2018-05-09 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科领域 | 半导体材料 ; 光电子学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2018-05-23 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28329 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王梦琦. 硅基InGaAs/InP量子阱材料生长研究[D]. 北京. 中国科学院大学,2018. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| --毕业论文-王梦琦.pdf（2989KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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