| 增强聚对二甲苯薄膜与金属层粘附性的方法 | |
| 裴为华; 国冬梅; 陈远方; 张贺; 陈弘达 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2014-10-14 |
| 申请号 | CN201410541559.5 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27285 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴为华,国冬梅,陈远方,等. 增强聚对二甲苯薄膜与金属层粘附性的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 增强聚对二甲苯薄膜与金属层粘附性的方法.（277KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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