| 纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 | |
| 付英春 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 杨富华 ; 王晓峰 |
| 2015-06-02 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | 相变存储器 全限制 自对准 牺牲层 量子点 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2015-06-03 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26588 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付英春. 纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 付英春-博士论文.pdf（2634KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [付英春]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [付英春]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [付英春]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论