| 一种硅神经电极混合集成器件的制造方法 | |
| 张旭; 韩建强; 刘鸣; 裴为华; 陈弘达 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2014-04-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2014-01-21 |
| 申请号 | CN201410028793.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25901 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张旭,韩建强,刘鸣,等. 一种硅神经电极混合集成器件的制造方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种硅神经电极混合集成器件的制造方法.p（505KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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