| 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法 | |
| 姚丹阳; 张锦川; 闫方亮; 刘俊岐; 王利军; 刘峰奇; 王占国 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-05-08 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2013-01-25 |
| 申请号 | CN201310028764.7 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25685 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚丹阳,张锦川,闫方亮,等. 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光（1010KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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