SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法
程滟; 詹腾; 郭金霞; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-31
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-05-07
申请号CN201310163419.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25623
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
程滟,詹腾,郭金霞,等. 柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法.
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柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作(503KB) 限制开放使用许可请求全文
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