SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
韩伟华; 王昊; 马刘红; 洪文婷; 杨晓光; 杨涛; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-09-18
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2013-06-13
申请号CN201310233363.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25549
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
韩伟华,王昊,马刘红,等. 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法.
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硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法.(1312KB) 限制开放使用许可请求全文
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