| 用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列及制备方法 | |
| 裴为华; 陈三元; 归强; 李雷; 陈弘达 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-12-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2012-09-24 |
| 申请号 | CN201210358686.2 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25333 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 裴为华,陈三元,归强,等. 用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列及制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 用于神经元刺激及电信号记录的光电极阵列及（453KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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