SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
提高紫外发光二极管出光效率的方法
董鹏; 王军喜; 闫建昌; 张逸韵; 孙莉莉; 曾建平; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-05
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-05-23
申请号CN201210162627.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25245
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
董鹏,王军喜,闫建昌,等. 提高紫外发光二极管出光效率的方法.
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提高紫外发光二极管出光效率的方法.pdf(215KB) 限制开放使用许可请求全文
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