锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法

	锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法; 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
	杨晓光; 杨涛
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法,包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多个周期的量子点结构、本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p+型Al0.8Ga0.2As层和p+型GaAs层；步骤5：在p+型GaAs层上蒸发上金属电极；步骤6：刻蚀上金属电极,使上金属电极形成网状；步骤7：在网状上金属电极上及裸露的p+型GaAs层上生长减反层；步骤8：剥离减反层,使上金属电极裸露；步骤9：在衬底的下表面制作下金属电极,形成电池组件；步骤10：对电池组件进行封装,完成太阳电池的制作。
部门归属	中科院半导体材料科学重点实验室
专利号	CN102176490A
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN201110044608.0
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23487
专题	中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	杨晓光,杨涛. 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法, 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法. CN102176490A.

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