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集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法; 集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法
郑婉华; 陈微; 张建心; 渠红伟; 付非亚
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法,其中每一单元包括如下步骤:步骤1:取一有源砷化镓外延片,该有源砷化镓外延片包括衬底、下限制层、有源层和上限制层;步骤2:在有源砷化镓外延片的上限制层上刻蚀周期性的耦合波导结构;步骤3:在周期性耦合波导结构的表面和衬底的下面分别制备金属电极;步骤4:在耦合波导结构的一侧,制备一光子晶体相位调制器;步骤5:在该光子晶体相位调制器的侧面靠近周期性耦合波导结构的一侧,制备一传输波导,该传输波导为一楔形;步骤6:在该光子晶体相位调制器的表面采用干法刻蚀的方法制备多个空气孔,形成空气孔阵列,完成集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法。
部门归属纳米光电子实验室
专利号CN102299483A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110148041.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23450
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑婉华,陈微,张建心,等. 集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法, 集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法. CN102299483A.
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集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的(449KB) 限制开放使用许可请求全文
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