| 一种制备铌酸锂表面图形的方法; 一种制备铌酸锂表面图形的方法 |
| 郑婉华; 齐爱谊; 王海玲; 渠红伟
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法,该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀,以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀,以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤,直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明,解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题,达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用,可以用于铌酸锂的刻蚀,获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN102304767A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110245639.2
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23449
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑婉华,齐爱谊,王海玲,等. 一种制备铌酸锂表面图形的方法, 一种制备铌酸锂表面图形的方法. CN102304767A.
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