| 提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法; 提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法 |
| 韩培德; 邢宇鹏; 范玉杰; 梁鹏
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 本发明公开了一种提高太阳能电池效率的方法,该方法是采用脉冲激光对太阳能电池掺杂区域进行辐照,使掺杂区域中的杂质形成过饱和替位掺杂、且被激活,减少间隙掺杂数量,从而改善半导体结质量,减少载流子复合,达到提高短路电流和开路电压、最终实现提高太阳能电池效率之目的。 |
部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN201110218925.X
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23423
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专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
韩培德,邢宇鹏,范玉杰,等. 提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法, 提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法.
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