| 利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法 |
| 宋国峰; 张宇; 汪卫敏; 陈熙
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-31
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：在激光器的出光面上制作一层金属薄膜；步骤2：在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂；步骤3：把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上；步骤4：采用压印技术，使液态阻蚀剂固化；步骤5：脱模，把纳米图案转移到阻蚀剂上；步骤6：等离子体刻蚀多余阻蚀剂，在金属薄膜表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案；步骤7：反应离子刻蚀，把纳米图案转移到金属薄膜上；步骤8：去除剩余的阻蚀剂，完成制备。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
|
| 专利号 | CN200910079801.0
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN200910079801.0
|
| 专利代理人 | 汤保平
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22457
|
| 专题 | 纳米光电子实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
宋国峰,张宇,汪卫敏,等. 利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法. CN200910079801.0.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论