| 一种平面相变存储器的制备方法; 一种平面相变存储器的制备方法 |
| 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
; 2011-08-31
; 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种平面相变存储器的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成侧墙的基底；在其表面及侧面淀积侧墙材料层；采用干法回刻形成侧墙；用湿法腐蚀去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在其表面制备一层绝缘材料层，将侧墙和金属层包裹在其中；抛光上表面的同时切断侧墙两旁的金属层的连接；化学机械抛光的截止面位于平面处的金属层的表面，即使得平面处的金属层全部露出；再在露出的纳米间距的金属电极上横跨上一条相变材料；最后在表面淀积一层绝缘材料，再在纳米间距的金属电极两边的金属层上开孔，并引出电极即可形成平面相变存储器。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN201010115649.X
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010115649.X
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22371
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 一种平面相变存储器的制备方法, 一种平面相变存储器的制备方法. CN201010115649.X.
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