| 平面相变存储器的制备方法 |
| 张加勇; 王晓峰; 马慧莉 ; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层、相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；在金属层上制备一层绝缘材料层；抛光表面直至磨到电热绝缘层上的金属表面，从而割断金属层形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后在nano-gap电极上淀积一层绝缘材料层，再在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极，即形成平面相变存储器。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN201010520209.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010520209.2
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22345
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 平面相变存储器的制备方法. CN201010520209.2.
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