| 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法 |
| 王彦硕; 陈诺夫; 白一鸣; 黄添懋 ; 陈晓峰; 张汉
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电池功能层一侧端对齐；一下绝缘填充层，填充在掺杂层之间，且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面；一金属遮光层，生长于下绝缘填充层中间之上，其面积小于下绝缘填充层的面积；一上绝缘填充层，覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层；一金属电极，生长于一侧的掺杂层之上，且覆盖于上绝缘填充层及大部分帽子层的上表面。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910078559.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910078559.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22281
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王彦硕,陈诺夫,白一鸣,等. 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法. CN200910078559.5.
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