| 采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法 |
| 梁松; 朱洪亮; 林学春; 韩培德; 王宝华
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-31
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 本发明公开了一种采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的激光扫描辐照硅片表面，形成具有硅微锥、硅微粒和硅微洞的黑硅材料。利用本发明，所使用的激光脉冲宽度为纳秒或微秒或毫秒甚至连续直流模式，波长为1064nm。用这类宽脉冲激光器光源扫描置于硫系物质环境下的硅晶片，可以制作出对全太阳光谱有强吸收作用的硅微锥、微粒和微孔的黑硅微结构材料。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
| 专利号 | CN200910078864.4
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN200910078864.4
|
| 专利代理人 | 周国城
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22275
|
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
梁松,朱洪亮,林学春,等. 采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法. CN200910078864.4.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论