| 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 |
| 陆全勇; 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路 ; 刘峰奇; 王占国
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2011-08-31
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中；一InP盖层制作在InGaAs上波导层上；一接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达限制层内；一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极制作在InP衬底的背面。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
| 专利号 | CN200910092876.2
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN200910092876.2
|
| 专利代理人 | 汤保平
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22257
|
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
陆全勇,张伟,王利军,等. 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法. CN200910092876.2.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论