| Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 | |
杨晓丽; 陈诺夫; 尹志岗
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材；步骤2：在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜；步骤3：将形成薄膜的衬底进行退火处理，得到Cu掺杂的p型ZnO薄膜材料。本发明可以解决IB族元素难于实现p型ZnO材料制备的难题。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN201010106765.5 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010106765.5 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22227 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨晓丽,陈诺夫,尹志岗. Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法. CN201010106765.5. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010106765.5.pdf（213KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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