| 利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法 |
| 季莲; 张书明 ; 刘宗顺; 杨辉
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法，包括如下步骤：步骤1：减薄，将制作完激光器结构的外延片从衬底背面减薄；步骤2：抛光，将减薄的衬底抛光，去除减薄研磨过程中产生的机械应力；步骤3：利用激光划片技术，将激光聚焦在抛光后的衬底背面，沿横向分割道的中间，垂直于衬底背面，划一道沟槽，沟槽两边各留20μm到200μm宽度；步骤4：将激光聚焦的位置下降至沟槽底部，在已形成的沟槽处再划一次，形成解理的导向槽，并重复多次；步骤5：用裂片机将管芯沿划好的导向槽解理成条，形成具有腔面和腔长的管芯条；步骤6：沿纵向分割道的中间，划一道沟槽，并重复步骤4，用裂片机沿划好的导向槽将管芯条分割成单个管芯，完成解理。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910084158.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910084158.0
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22059
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
季莲,张书明,刘宗顺,等. 利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法. CN200910084158.0.
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