| 一种制备薄膜材料的方法 |
| 俞育德; 李运涛; 余金中; 陈诺夫; 俞海龙
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2011-08-30
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 本发明公开了一种制备薄膜材料的方法,包括:步骤1:将制备薄膜的材料粉末置于粉仓中;步骤2:将带有电极极性的感光鼓置于粉仓上,通过静电的吸附作用将材料粉末吸附于感光鼓上;步骤3:将吸附有材料粉末的感光鼓置于一材料基底的上方;步骤4:感光鼓放电,使粉末均匀地分布于材料基底的表面;步骤5:对材料基底表面的材料粉末进行结晶化处理,在材料基底的表面形成薄膜材料。利用本发明,工艺成熟、制作成本低,比现行的方法至少低一个数量级。另外,本发明借鉴了静电压印技术,技术成熟度高。 |
部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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专利号 | CN200910090350.0
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN200910090350.0
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专利代理人 | 周国城
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22045
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专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
俞育德,李运涛,余金中,等. 一种制备薄膜材料的方法. CN200910090350.0.
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