| 一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法 | |
朱宇; 李智勇 ; 俞育德; 余金中
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种绝缘体上的硅基光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有光栅，在该顶硅层一侧靠近光栅处为锥形波导，该锥形波导大于80μm，与锥形波导连接处为亚微米波导；一光纤，该光纤的一端靠近顶硅层上的光栅。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 专利号 | CN201010121742.1 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010121742.1 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21957 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱宇,李智勇,俞育德,等. 一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法. CN201010121742.1. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010121742.1.pdf（303KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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