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| 一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法 | |
| 谈笑天; 郑厚植 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构，该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括：衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al0.3Ga0.7As层、AlxGa1-xAs层(x线性从0.3减至0.1)、Al0.1Ga0.9As层、GaAs层、源漏电极以及栅电极。本发明还公开了一种增强型高电子迁移率晶体管的制作方法。利用本发明，降低了HEMT器件的功耗，简化了制作工艺，降低了制作成本。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 专利号 | CN200810240933.2 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200810240933.2 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21877 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谈笑天,郑厚植. 一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法. CN200810240933.2. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200810240933.2.pdf（444KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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