全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究 | |
李振涛 | |
学位类型 | 硕士 |
导师 | 于芳 |
2011 | |
学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
学位授予地点 | 北京 |
学位专业 | 微电子学与固体电子 学 |
学科领域 | 微电子学 |
公开日期 | 2011-06-02 |
文献类型 | 学位论文 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20732 |
专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李振涛. 全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011. |
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全耗尽SOI器件及电路辐射加固技术研究.(1717KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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