Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 高密度DNA测序芯片及其制作方法 | |
李运涛 ; 俞育德; 余金中; 于 军; 胡 迪; 任鲁风
| |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2009-12-09 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种高密度DNA测序芯片，其特征在于，包括:一氧化铝薄膜，该氧化铝薄膜上制备有蜂巢状的通孔;一DNA测序芯片的基片;其中该氧化铝薄膜上的蜂巢状的通孔是采用阳极氧化方法形成，将该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表面，形成池壁为氧化铝薄膜，池底为DNA测序芯片的基片表面的微反应池阵列。本发明具有密度高、成本低、操作简单、适于大规模工业化制作的优点。 |
| 申请日期 | 2008-06-06 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810114536.0 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13460 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李运涛,俞育德,余金中,等. 高密度DNA测序芯片及其制作方法[P]. 2010-08-12. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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